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高速微處理器芯片的電壓為1.7V低1，必須應(yīng)用到低的壓力降。 約1V的低電壓硅二極管的正向壓降，小馳基二極管的正向電壓約o.45v(低電壓可以作為接近開(kāi)關(guān)作為低o.32v)。低電壓MOSF [新裝置可以通態(tài)電阻和非常小的，如irl3102(20v61a)，irf7805和irf7807通態(tài)電阻是o.0130，分別為0.009261和o.017d，5A的電流，通過(guò)態(tài)壓降小于o.1v。具有低的壓力降m05fet和二極管并聯(lián)運(yùn)行，一個(gè)低壓降的形成是非常低的高質(zhì)量的二極管，使低電壓電源的效率，可以為95K高。 由于MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)，二極管的正向電壓應(yīng)與二極管的正向電壓的時(shí)間同步。 同步裝置或同步整流裝置。圖3 B，5A是典型的降壓型開(kāi)關(guān)變換器主電路的“同步”(當(dāng)電路沒(méi)有VFz，為“普通”的降壓型開(kāi)關(guān)變換器電路)。當(dāng)VDL是不斷流動(dòng)的當(dāng)電壓是打開(kāi)的，要趕在時(shí)間的VF2減少壓降損失。但為了避免VPL和VF2同時(shí)在狀態(tài)，對(duì)短路事故的風(fēng)險(xiǎn)，從自由到VFS傳導(dǎo)過(guò)渡，以及從VF2的過(guò)渡沃爾夫是打開(kāi)的，必須要有一個(gè)短筒兩不導(dǎo)通時(shí)間的區(qū)域，被稱為“死亡區(qū)”;在死的時(shí)候仍然是二極管VDL。VF2開(kāi)關(guān)瞬間，與續(xù)流二極管，通過(guò)瞬時(shí)密切合作，開(kāi)關(guān)速度例如度要求更高，可以用來(lái)選擇一個(gè)很小的電容irf780 7。 |
當(dāng)前位置：
