電荷耦合攝像器件CCD的突出特點(diǎn)是以電荷為信號(hào)載體,不同于大多數(shù)以電流或電壓為信號(hào)的載體喊叫件。CCD的基本功能是電荷的存儲(chǔ)和電荷的轉(zhuǎn)移。因此CCD的基本工作過程主要是信號(hào)電荷的產(chǎn)生、存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移和檢測(cè)。 CCD有兩種基本類型:一種是電荷包存儲(chǔ)在半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面,并沿界面轉(zhuǎn)移,這類器件稱為表面溝道CCD;另一種是電荷包存儲(chǔ)在離半導(dǎo)體一定嘗試的體內(nèi)沿著一定方向轉(zhuǎn)移,這類器件稱為體溝道或埋溝道器件。下面詳細(xì)介紹CCD的基本工作原理: CCD是一種以電荷包形式存儲(chǔ)和傳遞信息的半導(dǎo)體表面器件,是在MOS結(jié)構(gòu)電荷存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,所以有人將其稱為排列起來的MOS電容陳列。一個(gè)MOS電容器是一個(gè)光敏元,可以感應(yīng)一個(gè)像素點(diǎn),則一個(gè)圖像有多少個(gè)像素點(diǎn),就需要多少個(gè)同樣的光敏元,即傳遞一幅圖像需要由許多MOS光敏元大規(guī)模集成的器件。 P型半導(dǎo)體MOS光敏元結(jié)構(gòu)是制備時(shí)先在P-SI片上氧化一層SIO2介質(zhì)層,其上的沉積一層金屬鋁作為柵極,在P-SI半導(dǎo)體上制作下電極。 其原理為:給柵極突然加一個(gè)VG正脈沖,在光電開關(guān)的金屬電極板上就會(huì)充上一些正電荷,電場(chǎng)將P-SI中SIO2界面附近的空穴排斥走,在少數(shù)電子還未移動(dòng)到此區(qū)時(shí),在SIO2附近出現(xiàn)耗盡層,耗盡區(qū)中的電離物質(zhì)為負(fù)離子,此時(shí)半導(dǎo)體表面處于非平衡狀態(tài),表面區(qū)有表面電動(dòng)勢(shì),若襯底電位為0,則表面處電子的靜電位能為-qs。 |