構(gòu)成ccd的基本單元是mos電容器。與其他電容器一樣，mos電容器能夠存儲(chǔ)器電荷，如果mos電容器中的半導(dǎo)體是p型硅，當(dāng)在金屬電極上施加一個(gè)正電壓ug時(shí)，p型硅中的多數(shù)載流子空穴受到排斥，半導(dǎo)體內(nèi)的涒數(shù)流子電子被吸引到p-si界面處，從而在界面附近形成一個(gè)帶負(fù)電荷的耗盡區(qū)，也稱(chēng)表面勢(shì)阱，對(duì)帶負(fù)電的電子來(lái)說(shuō)，耗盡區(qū)是個(gè)勢(shì)能很低的區(qū)域。
如果有光照射在硅片上，在光子作用下，半導(dǎo)體硅產(chǎn)生了電子-空穴對(duì)，由此產(chǎn)生的光電開(kāi)關(guān)傳感器的光生電子就被附近的勢(shì)阱所吸收，勢(shì)阱內(nèi)所吸收的光生電子數(shù)量與入射到該勢(shì)阱附近的光強(qiáng)成正比，存儲(chǔ)器了電荷的勢(shì)阱被稱(chēng)為電荷包，而同時(shí)產(chǎn)生的空穴被排斥出耗盡區(qū)。并且在一定的條件下，所加正電壓ug越大，耗盡層就越深，si表面吸收少數(shù)載流子表面勢(shì)半導(dǎo)體表面對(duì)于襯底的電勢(shì)差也越大，這時(shí)勢(shì)力阱所能容納的少數(shù)載流子電荷的量就越大。勢(shì)阱中電荷包大小主要決定于所加正電壓ug大小，入射到該勢(shì)阱附近的光強(qiáng)。后者是光強(qiáng)的模擬電荷，從而完成光轉(zhuǎn)換成電荷的過(guò)程。 |
當(dāng)前位置：
